Новости науки, здоровья и космоса на портале GlobalScience.ru. Информеры для владельцев сайтов. Создайте свой собственный новостной сайт, используя наши бесплатные новостные информеры.
Конструктор новостных информеров
14/07/2009

Новые транзисторы уменьшат размеры адаптеров в десять раз

Новые транзисторы уменьшат размеры адаптеров в десять раз

Потери, которые несут устройства преобразования переменного тока в постоянный, можно сократить на одну треть, если использовать в преобразователях вместо кремниевых транзисторов новые транзисторы на основе нитрида галлия.

По словам японских ученых из лаборатории Fujitsu Laboratories (Кавасаки), эти транзисторы также помогут сделать преобразователь достаточно маленькими, чтобы разместиться, например, внутри корпуса ноутбука, т.е. отпадет необходимость носить с собой отдельный адаптер.

Электрический прибор, который создает устойчивый постоянный ток из источника переменного тока, основан на транзисторах, которые могут моментально переключаться из проводящего состояния в непроводящее.

Обычные кремниевые транзисторы могут терять существенное количество энергии (ток утечки) во время переключения из-за изменения свойств материала при высоком напряжении (пробивное напряжение).

Однако у нитрида галлия (GaN) напряжение пробоя более высокое, и это сводит к минимуму такие потери. Транзисторы на основе нитрида галлия также работают на более высоких частотах, что позволит производителям уменьшить размер катушек трансформатора в адаптере.

Все идет к тому, что к 2011 году размеры адаптеров уменьшатся до одной десятой сегодняшнего размера.

Впервые Fujitsu планирует применить новые технологии в огромных, жадных до электричества информационных центрах (датацентрах), где, по уверениям фирмы, удастся снизить расход электричества на 12 процентов. Популярные статьи новости науки и техники только на нашем портале.

Оригинал (на англ. языке): NewScientist.com

 
Печать
Рейтинг:
  •  
Авторизуйтесь для оценки материала

С этим материалом еще читают:

Новая трехмерная графеновая электроника

В исследовании, опубликованном в журнале Science, манчестерская команда под руководством Нобелевских лауреатов, профессоров Андрея Гейма и Константина Новоселова, в буквальном смысле слова открыла новое измерение в области исследований графена. Они продемонстрировали трехмерный графеновый транзистор, который позволит графену стать новым кремнием. Графен является поразительным материалом, состоящим из одного слоя атомов углерода, обладающим бесчисленными уникальными свойствами в самых разных областях
 

Инженеры научились "рисовать" транзисторы

Органический полупроводник может составить конкуренцию кремнию в области производства широкого круга электронных товаров, начиная с солнечных панелей и заканчивая мониторами. При этом "напылить" новую электронную деталь, можно будет с такой же легкостью, как если бы вы рисовали обыкновенной краской.
 

Bluetooth собираются "скрестить" с Wi-Fi

Возможно, в следующем году мы сможем увидеть своеобразный гибрид стандартов беспроводной передачи данных, основанный на популярных технологиях Bluetooth и Wi-Fi.
 
 

Еще из категории технологии:

 
 
 

Последние комментарии

 

Комментариев нет. Будьте первым!

Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы иметь возможность оставлять комментарии.
 
 
 
Glob-News.ru
 

Читательский топ

 

Читайте также

 
 

Главная | космос | здоровье | технологии | катастрофы | живая планета | среда обитания | Читательский ТОП | Это интересно | Строительные технологии

RSS | Обратная связь | Информеры | О сайте | E-mail рассылка | Как включить JavaScript | Полезно знать | Заметки домоседам | Социальные сети

© 2007-2012 GlobalScience.ru
При полном или частичном использовании материалов прямая гиперссылка на GlobalScience.ru обязательна