Новости науки, здоровья и космоса на портале GlobalScience.ru. Информеры для владельцев сайтов. Создайте свой собственный новостной сайт, используя наши бесплатные новостные информеры.
Конструктор новостных информеров
14/07/2009

Нові транзистори зменшать розміри адаптерів в десять разів

Нові транзистори зменшать розміри адаптерів в десять разів

Потері, які несуть пристрої перетворення змінного струму в постійний, можна скоротити на одну третину, якщо використовувати в перетворювачах замість кремнієвих транзисторів нові транзистори на основі нітриду галію.

По словами японських учених з лабораторії Fujitsu Laboratories (Кавасакі), ці транзистори також допоможуть зробити перетворювач досить маленькими, щоб розміститися, наприклад, всередині корпусу ноутбука, тобто відпаде необхідність носити з собою окремий адаптер.

Електріческій прилад, який створює устойчівий постійний ток з джерела змінного струму, заснований на транзисторах, які можуть моментально переключатися з провідного стану в непроводящее.

Обичние кремнієві транзистори можуть втрачати значну кількість енергії (струм витоку) під час перемикання через зміни властивостей матеріалу при високому напрузі (пробивну напругу).

Однако у нітриду галію (GaN) напруга пробою більш високе, і це зводить до мінімуму такі втрати. Транзистори на основі нітриду галію також працюють на більш високих частотах, що дозволить виробникам зменшити розмір котушок трансформатора в адаптері.

Все йде до того, що до 2011 року розміри адаптерів зменшаться до однієї десятої сьогоднішнього розміру.

Впервие Fujitsu планує застосувати нові технології у величезних, жадібних до електрики інформаційних центрах (датацентрах), де, за запевненнями фірми, вдасться знизити витрату електрики на 12 відсотків. Популярні статті новості науки і технікі тільки на нашому портале.

Орігінал (на англ. Мовою): NewScientist.com

 
Печать
Рейтинг:
  •  
Авторизуйтесь для оценки материала

С этим материалом еще читают:

Физики нашли новый способ движения электронов в графене

Исследователи из Массачусетского технологического института и Университета Манчестера обнаружили неожиданно поведение электронов при очень специализированных условиях, и это может привести к новым типам транзисторов и электронных схем, которые требуют очень мало энергии. Физики нашли, что когда лист графена, расположен на листе нитрида бора, электроны движутся перпендикулярно электрическому полю. Это происходит даже без влияния
 

Новая трехмерная графеновая электроника

В исследовании, опубликованном в журнале Science, манчестерская команда под руководством Нобелевских лауреатов, профессоров Андрея Гейма и Константина Новоселова, в буквальном смысле слова открыла новое измерение в области исследований графена. Они продемонстрировали трехмерный графеновый транзистор, который позволит графену стать новым кремнием. Графен является поразительным материалом, состоящим из одного слоя атомов углерода, обладающим бесчисленными уникальными свойствами в самых разных областях
 

RapidScat частично будет собираться в космосе

Совсем скоро NASA запустит аппарат, который будет заниматься исследованиями атмосферных ветров - ISS-RapidScat. Со времен постройки МКС частичная сборка аппарата в условиях космоса будет первым опытом. Вначале направят две очень сложных части, которые собирались в земных условиях в течение полутора лет командой ISS-RapidScat
 
 

Еще из категории технологии:

 
 
 

Последние комментарии

 

Комментариев нет. Будьте первым!

Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы иметь возможность оставлять комментарии.
 
 
 

Рассылка топовых новостей

 
 


 

Читательский топ

 
 

Главная | космос | здоровье | технологии | катастрофы | живая планета | среда обитания | Читательский ТОП | Это интересно | Строительные технологии

RSS | Обратная связь | Информеры | О сайте | E-mail рассылка | Как включить JavaScript | Полезно знать | Заметки домоседам | Социальные сети

© 2007-2021 GlobalScience.ru
При полном или частичном использовании материалов прямая гиперссылка на GlobalScience.ru обязательна