Открыта новая память в 100 раз быстрей FLASH RAM
Более продвинутые и дешевые мемристоры могут появиться в результате случайного открытия в Университетском колледже Лондона (УКЛ).
Команда из УКЛ экспериментировала с оксидом кремния для производства LED и случайно открыла такую компоновку атомов кремния, которая создает менее резистивные участки внутри твердого оксида кремния. Переключение между уровнями сопротивления происходит намного эффективней, чем раньше. Этот процесс был опубликован в журнале Journal of Applied Physics.
Изучая свойства созданного ими образца LED, они обнаружили, что поведение их устройства нестабильно. Один из исследователей, Аднан Мехоник, взялся изучить этот феномен и выяснил, что оксид кремния не был нестабильным, а вполне предсказуемо перепрыгивал в разные проводимые и непроводимые состояния.
Он сказал: "Моя работа показала, что этот материал может быть применен для изготовления мемристоров. Потенциал этого материала просто огромен. На этапе подтверждения концепции, мы продемонстрировали, что можем программировать чипы с использованием циклов от двух и более состояний проводимости. Мы очень рады, что наше устройство может стать важным шагом к созданию новых кремниевых чипов памяти".
В пресс-релизе сообщается: "Эти приборы можно создать таким образом, что они смогут варьировать сопротивляемость в зависимости от того вольтажа, который был применен последним... Подобные приборы известны под названием мемристоры".
Доктор Тони Кеньон из департамента Электроники УКЛ сказал: "Наши чипы памяти ReRAM потребляют всего тысячную долю от той энергии, которую потребляют стандартные чипы флеш-памяти и в 100 раз быстрее них. Тот факт, что это устройство может функционировать в реальных условиях окружающей среды и меняет свою сопротивляемость, открывает широкий круг практических применений".
Доктор Кеньон добавил: "Мы также работаем над созданием кварцевого устройства, для создания прозрачной электроники". Это позволит добавить тачскринам и другим экранам мобильных устройств функцию памяти.
Оригинал (на англ. языке): Theregister.co.uk
С этим материалом еще читают:
Создан один бит памяти всего из 12 атомов
Toshiba создала высокоскоростной флэш-диск нового типа
У марсохода Opportunity проблемы с флеш-памятью
Еще из категории технологии:
- ИИ и смешанную реальность впервые объединили при установке зубного импланта
- Капли воды могут повреждать краску микроскопическими электрическими разрядами
- Умные часы завышают расход калорий: учёные проверили четыре популярные модели
- Учёные обнаружили, что сверхтонкие алмазные мембраны способны вырабатывать электричество
- Учёные разработали жевательную резинку, которая может снижать уровень HPV и опасных бактерий во рту
- Ученые расплавили алмаз при давлении выше, чем в недрах Нептуна
- Учёные превратили спутники Starlink в гигантский сканер верхних слоёв атмосферы
- Новый катализатор позволит сократить расход платины в водородных топливных элементах на 75%
Последние комментарии
Рассылка топовых новостей
Читательский топ
- В Помпеях у жертвы извержения Везувия нашли набор врача
- Белок восстановления ДНК может стать ключом к новым методам лечения рака
- Ярко-синие «калийные пруды» в Юте заметили из космоса рядом с тёмно-зелёной рекой Колорадо
- Ученые обнаружили скрытый квантовый мир внутри кобальта
- Под землей обнаружили гигантскую грибную сеть длиной в квадриллионы километров
- Низкий уровень дофамина может быть причиной подростковой тяги к риску, которая исчезает с возрастом
- Учёные впервые заглянули внутрь живых стволовых клеток и увидели, как начинается старение

Комментариев нет. Будьте первым!