Samsung розробив нове покоління пам'яті, яке споживає на 40% менше енергії

Компанія Samsung Electronics оголосила про завершення розробки першого у світі модуля DDR4 DRAM, створеного за 30-нм техпроцесу. Були продемонстровані 1. 2V 2GB DDR4 модулі форм-фактора unbuffered dual in-line memory modules (UDIMM), підключені до контролера. Нові модулі DDR4 DRAM можуть передавати інформацію на швидкості в 2.133Gbps при 1. 2V, в порівнянні з 1.35V і 1.5V DDR3 DRAM, виготовлених по еквівалентному 30-нм технологічному процесу, швидкість яких не перевищує 1.6Gbps. У ноутбуці, модуль DDR4 скоротить споживання енергії на 40 відсотків порівняно з модулем 1.5V DDR3.

Модуль виготовлений із застосуванням технології Pseudo Open Drain (POD), яка дозволяє скоротити споживання енергії під час читання і запису інформації вдвічі, в порівнянні з DDR3. Завдяки використанню нової архітектури ланцюга, DDR4 зможе розганятися до 3.2Gbps. Для порівняння, типова швидкість DDR3 - 1.6Gbps, а DDR2 - 800Mbps.

Samsung буде щільно співпрацювати з виробниками серверів, для завершення стандартизації DDR4 в другій половині поточного року. Samsung першим розробив такі технології як DDR DRAM в 1997 році, DDR2 DRAM в 2001, і DDR3 DRAM по 80-нм техпроцесу у 2005 році.

"Samsung активно підтримує ІТ-індустрію, виступаючи з ініціативою зеленої пам'яті, розробляючи екологічні та високоефективні технології пам'яті щороку", - Сказав Донг Су Джун, начальник відділення пам'яті компанії Samsung. "Нові модулі DDR4 DRAM зміцнять цю традицію, особливо з випуском четирехгігабітних блоків пам'яті зроблених за технологією наступного покоління".

Орігінал (на англ. мовою): Techspot

• ИИ сможет предупреждать 90 % преступлений
• «Голопортация» в космос – уже реальность
• Как распознать дипфейки
• Полной анонимности в Интернете не существует
• Кто такие ксеноботы?
• Ученые разрабатывают нейроинтерфейсы
• Технология Parabon NanoLabs позволяет воссоздавать лица по фрагментам останков
• Запуск Windows 11 запланирован на 5 октября