Samsung разработал новое поколение памяти, потребляющее на 40% меньше энергии

Компания Samsung Electronics объявила о завершении разработки первого в мире модуля DDR4 DRAM, созданного по 30-нм техпроцессу. Были продемонстрированы 1.2V 2GB DDR4 модули форм-фактора unbuffered dual in-line memory modules (UDIMM), подключенные к контроллеру. Новые модули DDR4 DRAM могут передавать информацию на скорости в 2.133Gbps при 1.2V, по сравнению с 1.35V и 1.5V DDR3 DRAM, изготовленных по эквивалентному 30-нм технологическому процессу, скорость которых не превышает 1.6Gbps. В ноутбуке, модуль DDR4 сократит потребление энергии на 40 процентов по сравнению с модулем 1.5V DDR3.

Модуль изготовлен с применением технологии Pseudo Open Drain (POD), которая позволяет сократить потребление энергии во время чтения и записи информации вдвое, по сравнению с DDR3. Благодаря использованию новой архитектуры цепи, DDR4 сможет разгоняться до 3.2Gbps. Для сравнения, типичная скорость DDR3 - 1.6Gbps, а DDR2 - 800Mbps.

Samsung будет плотно сотрудничать с производителями серверов, для завершения стандартизации DDR4 во второй половине текущего года. Samsung первым разработал такие технологии как DDR DRAM в 1997 году, DDR2 DRAM в 2001, и DDR3 DRAM по 80-нм техпроцессу в 2005 году.

"Samsung активно поддерживает ИТ-индустрию, выступая с инициативой зеленой памяти, разрабатывая экологичные и высокоэффективные технологии памяти каждый год", - сказал Донг Су Джун, начальник отделения памяти компании Samsung. "Новые модули DDR4 DRAM укрепят эту традицию, особенно с выпуском четырехгигабитных блоков памяти сделанных по технологии следующего поколения".

Оригинал (на англ. языке): Techspot

• ИИ сможет предупреждать 90 % преступлений
• «Голопортация» в космос – уже реальность
• Как распознать дипфейки
• Полной анонимности в Интернете не существует
• Кто такие ксеноботы?
• Ученые разрабатывают нейроинтерфейсы
• Технология Parabon NanoLabs позволяет воссоздавать лица по фрагментам останков
• Запуск Windows 11 запланирован на 5 октября