Открыта новая память в 100 раз быстрей FLASH RAM

Более продвинутые и дешевые мемристоры могут появиться в результате случайного открытия в Университетском колледже Лондона (УКЛ).
Команда из УКЛ экспериментировала с оксидом кремния для производства LED и случайно открыла такую компоновку атомов кремния, которая создает менее резистивные участки внутри твердого оксида кремния. Переключение между уровнями сопротивления происходит намного эффективней, чем раньше. Этот процесс был опубликован в журнале Journal of Applied Physics.
Изучая свойства созданного ими образца LED, они обнаружили, что поведение их устройства нестабильно. Один из исследователей, Аднан Мехоник, взялся изучить этот феномен и выяснил, что оксид кремния не был нестабильным, а вполне предсказуемо перепрыгивал в разные проводимые и непроводимые состояния.
Он сказал: "Моя работа показала, что этот материал может быть применен для изготовления мемристоров. Потенциал этого материала просто огромен. На этапе подтверждения концепции, мы продемонстрировали, что можем программировать чипы с использованием циклов от двух и более состояний проводимости. Мы очень рады, что наше устройство может стать важным шагом к созданию новых кремниевых чипов памяти".
В пресс-релизе сообщается: "Эти приборы можно создать таким образом, что они смогут варьировать сопротивляемость в зависимости от того вольтажа, который был применен последним... Подобные приборы известны под названием мемристоры".
Доктор Тони Кеньон из департамента Электроники УКЛ сказал: "Наши чипы памяти ReRAM потребляют всего тысячную долю от той энергии, которую потребляют стандартные чипы флеш-памяти и в 100 раз быстрее них. Тот факт, что это устройство может функционировать в реальных условиях окружающей среды и меняет свою сопротивляемость, открывает широкий круг практических применений".
Доктор Кеньон добавил: "Мы также работаем над созданием кварцевого устройства, для создания прозрачной электроники". Это позволит добавить тачскринам и другим экранам мобильных устройств функцию памяти.
Оригинал (на англ. языке): Theregister.co.uk
С этим материалом еще читают:
Создан один бит памяти всего из 12 атомов

Toshiba создала высокоскоростной флэш-диск нового типа

У марсохода Opportunity проблемы с флеш-памятью

Еще из категории технологии:
- Частое использование ChatGPT связано с одиночеством и эмоциональной зависимостью
- Стартап по натрий-железным батареям готов бросить вызов литий-ионным батареям для долгосрочного хранения энергии
- ABB разрабатывает высокоманевренный и высокоэффективный морской винт
- Изменения симметрии в крошечных кристаллах под воздействием света позволяют исследователям создавать материалы с заданными свойствами
- Солнечная пленка, которую можно наклеить где угодно для генерации энергии
- Двойно магичное ядро свинца-208 удивляет неожиданными свойствами формы
- Как мозг строит сложные карты для навигации и запоминания мира
- Пластиковый лед
Последние комментарии
Рассылка топовых новостей
Читательский топ
- Ватикан разрешил геям становиться священниками с определенными ограничениями
- Связь между микробиомом кишечника, воспалением и депрессией
- Древнее дерево рассказало о перевороте магнитного поля Земли
- Почему летучие мыши спят, вися вниз головой?
- Индустриализированные общества спят больше
- Ваш мозг может содержать пластик
- Нейронный путь у мышей проливает свет на то, как мозг регулирует обученные иммунные реакции
Комментариев нет. Будьте первым!