Открыта новая память в 100 раз быстрей FLASH RAM
Более продвинутые и дешевые мемристоры могут появиться в результате случайного открытия в Университетском колледже Лондона (УКЛ).
Команда из УКЛ экспериментировала с оксидом кремния для производства LED и случайно открыла такую компоновку атомов кремния, которая создает менее резистивные участки внутри твердого оксида кремния. Переключение между уровнями сопротивления происходит намного эффективней, чем раньше. Этот процесс был опубликован в журнале Journal of Applied Physics.
Изучая свойства созданного ими образца LED, они обнаружили, что поведение их устройства нестабильно. Один из исследователей, Аднан Мехоник, взялся изучить этот феномен и выяснил, что оксид кремния не был нестабильным, а вполне предсказуемо перепрыгивал в разные проводимые и непроводимые состояния.
Он сказал: "Моя работа показала, что этот материал может быть применен для изготовления мемристоров. Потенциал этого материала просто огромен. На этапе подтверждения концепции, мы продемонстрировали, что можем программировать чипы с использованием циклов от двух и более состояний проводимости. Мы очень рады, что наше устройство может стать важным шагом к созданию новых кремниевых чипов памяти".
В пресс-релизе сообщается: "Эти приборы можно создать таким образом, что они смогут варьировать сопротивляемость в зависимости от того вольтажа, который был применен последним... Подобные приборы известны под названием мемристоры".
Доктор Тони Кеньон из департамента Электроники УКЛ сказал: "Наши чипы памяти ReRAM потребляют всего тысячную долю от той энергии, которую потребляют стандартные чипы флеш-памяти и в 100 раз быстрее них. Тот факт, что это устройство может функционировать в реальных условиях окружающей среды и меняет свою сопротивляемость, открывает широкий круг практических применений".
Доктор Кеньон добавил: "Мы также работаем над созданием кварцевого устройства, для создания прозрачной электроники". Это позволит добавить тачскринам и другим экранам мобильных устройств функцию памяти.
Оригинал (на англ. языке): Theregister.co.uk
С этим материалом еще читают:
Создан один бит памяти всего из 12 атомов
Toshiba создала высокоскоростной флэш-диск нового типа
У марсохода Opportunity проблемы с флеш-памятью
Еще из категории технологии:
- IBM ускоряет обучение ИИ на скорости света при минимальном энергопотреблении
- Учёные впервые визуализировали форму одиночного фотона
- Солнечная система для зарядки электромобилей
- Крупнейший электрический самолёт взлетит в 2025 году
- ДНК-биочернила открывают новые горизонты для 3D-печати кровеносных сосудов
- Исследователи улучшили эффективность и долговечность солнечных элементов
- Тёмная материя: Как камера отслеживает невидимое
- Мягкий, растяжимый электрод имитирует тактильные ощущения с помощью электрических сигналов
Последние комментарии
Рассылка топовых новостей
Читательский топ
- Резьба на древнем памятнике может быть самым старым календарем в мире
- Что привело к сильному землетрясению на полуострове Ното в Японии в Новогодний день
- Космический корабль DART NASA навсегда изменил форму и орбиту лунного астероида
- Объяснено происхождение рентгеновского излучения от черных дыр
- Учёные предлагают рекомендации по исследованию солнечного геоинжиниринга
- Митохондрии выбрасывают свою ДНК в клетки нашего мозга
- Платформа искусственного интеллекта повышает точность диагностики рака легких
Комментариев нет. Будьте первым!