Открыта новая память в 100 раз быстрей FLASH RAM

Более продвинутые и дешевые мемристоры могут появиться в результате случайного открытия в Университетском колледже Лондона (УКЛ).
Команда из УКЛ экспериментировала с оксидом кремния для производства LED и случайно открыла такую компоновку атомов кремния, которая создает менее резистивные участки внутри твердого оксида кремния. Переключение между уровнями сопротивления происходит намного эффективней, чем раньше. Этот процесс был опубликован в журнале Journal of Applied Physics.
Изучая свойства созданного ими образца LED, они обнаружили, что поведение их устройства нестабильно. Один из исследователей, Аднан Мехоник, взялся изучить этот феномен и выяснил, что оксид кремния не был нестабильным, а вполне предсказуемо перепрыгивал в разные проводимые и непроводимые состояния.
Он сказал: "Моя работа показала, что этот материал может быть применен для изготовления мемристоров. Потенциал этого материала просто огромен. На этапе подтверждения концепции, мы продемонстрировали, что можем программировать чипы с использованием циклов от двух и более состояний проводимости. Мы очень рады, что наше устройство может стать важным шагом к созданию новых кремниевых чипов памяти".
В пресс-релизе сообщается: "Эти приборы можно создать таким образом, что они смогут варьировать сопротивляемость в зависимости от того вольтажа, который был применен последним... Подобные приборы известны под названием мемристоры".
Доктор Тони Кеньон из департамента Электроники УКЛ сказал: "Наши чипы памяти ReRAM потребляют всего тысячную долю от той энергии, которую потребляют стандартные чипы флеш-памяти и в 100 раз быстрее них. Тот факт, что это устройство может функционировать в реальных условиях окружающей среды и меняет свою сопротивляемость, открывает широкий круг практических применений".
Доктор Кеньон добавил: "Мы также работаем над созданием кварцевого устройства, для создания прозрачной электроники". Это позволит добавить тачскринам и другим экранам мобильных устройств функцию памяти.
Оригинал (на англ. языке): Theregister.co.uk
С этим материалом еще читают:
Создан один бит памяти всего из 12 атомов

Toshiba создала высокоскоростной флэш-диск нового типа

У марсохода Opportunity проблемы с флеш-памятью

Еще из категории технологии:
- Слышишь сигнал — но не видишь машину: скрытая проблема в безопасности электромобилей
- Новые наушники от Anker: шумоподавление, до месяца автономной работы и зарядка для смартфона
- Учёные «замораживают» квантовое движение с помощью лазерного трюка: открытие откроет путь к новым технологиям
- Новое антибактериальное покрытие на основе белка "прыгающих блох" блокирует 100% бактерий
- Технология под рукой: сенсорные экраны смартфонов помогут следить за уровнем гидратации организма
- Эпоха экзафлопсных суперкомпьютеров наступила — что это значит и на что они способны?
- Частое использование ChatGPT связано с одиночеством и эмоциональной зависимостью
- Стартап по натрий-железным батареям готов бросить вызов литий-ионным батареям для долгосрочного хранения энергии
Последние комментарии
Рассылка топовых новостей
Читательский топ
- Таинственная пирамида Амазонии: священная гора Эль Коно может скрывать древние тайны
- Ваш мозг может содержать пластик
- Холодные погружения запускают процесс очистки клеток и могут лечить старение и болезни
- Какие страны увидят солнечное затмение 29 марта — и где будет двойной рассвет
- Первичные препараты не действуют на 48% людей с депрессией
- Апноэ во сне связано с повышенным риском болезни Паркинсона
- Частое использование ChatGPT связано с одиночеством и эмоциональной зависимостью
Комментариев нет. Будьте первым!