Открыта новая память в 100 раз быстрей FLASH RAM
    Более продвинутые и дешевые мемристоры могут появиться в результате случайного открытия в Университетском колледже Лондона (УКЛ).
Команда из УКЛ экспериментировала с оксидом кремния для производства LED и случайно открыла такую компоновку атомов кремния, которая создает менее резистивные участки внутри твердого оксида кремния. Переключение между уровнями сопротивления происходит намного эффективней, чем раньше. Этот процесс был опубликован в журнале Journal of Applied Physics.
Изучая свойства созданного ими образца LED, они обнаружили, что поведение их устройства нестабильно. Один из исследователей, Аднан Мехоник, взялся изучить этот феномен и выяснил, что оксид кремния не был нестабильным, а вполне предсказуемо перепрыгивал в разные проводимые и непроводимые состояния.
Он сказал: "Моя работа показала, что этот материал может быть применен для изготовления мемристоров. Потенциал этого материала просто огромен. На этапе подтверждения концепции, мы продемонстрировали, что можем программировать чипы с использованием циклов от двух и более состояний проводимости. Мы очень рады, что наше устройство может стать важным шагом к созданию новых кремниевых чипов памяти".
В пресс-релизе сообщается: "Эти приборы можно создать таким образом, что они смогут варьировать сопротивляемость в зависимости от того вольтажа, который был применен последним... Подобные приборы известны под названием мемристоры".
Доктор Тони Кеньон из департамента Электроники УКЛ сказал: "Наши чипы памяти ReRAM потребляют всего тысячную долю от той энергии, которую потребляют стандартные чипы флеш-памяти и в 100 раз быстрее них. Тот факт, что это устройство может функционировать в реальных условиях окружающей среды и меняет свою сопротивляемость, открывает широкий круг практических применений".
Доктор Кеньон добавил: "Мы также работаем над созданием кварцевого устройства, для создания прозрачной электроники". Это позволит добавить тачскринам и другим экранам мобильных устройств функцию памяти.
Оригинал (на англ. языке): Theregister.co.uk
С этим материалом еще читают:
Создан один бит памяти всего из 12 атомов
     Toshiba создала высокоскоростной флэш-диск нового типа
     У марсохода Opportunity проблемы с флеш-памятью
     Еще из категории технологии:
- Грибы как компьютерные чипы: учёные создают «живую память» из шиитаке
 - Учёные создали трёхслойное микрофлюидное устройство для сверхэффективного охлаждения электроники
 - Обычный кристалл оказался идеальным материалом для технологий на сверхнизких температурах
 - Учёные научились превращать снимки атомно-силового микроскопа в точные 3D-модели движений белков
 - Учёные создали уникальный гидрогель для «неклонируемых» меток безопасности
 - Роботы нового поколения: в Caltech создали систему, которая может ходить, ездить и летать
 - Учёные создали 3D-печатные материалы, которые полностью гасят вибрации
 - Квантовые кристаллы: как учёные из Оберна открыли путь к новой технологической революции
 
Последние комментарии
Рассылка топовых новостей
Читательский топ
- Древние зубы раскрыли тайну: люди жевали психоактивные орехи бетеля уже 4 000 лет назад
 - Гипергравитация повышает продуктивность мха: японские учёные нашли ген, отвечающий за адаптацию
 - Полиненасыщенные жирные кислоты помогают обратить возрастное ухудшение зрения
 - Тропический шторм «Мелисса» угрожает Карибам: островам грозят проливные дожди и наводнения
 - Сокращение финансирования mRNA-вакцин в США: учёные предупреждают о риске для национальной безопасности и здоровья нации
 - Исследователи из Германии обнаружили важную особенность в мозге людей, страдающих депрессией
 - Осы, которые умеют «ставить жизнь на паузу»: открытие может помочь замедлить старение у людей
 

Комментариев нет. Будьте первым!