Китайские ученые создали умную ткань, не боящуюся стирки

Команда инженеров из Institute of Textiles and Clothing (Гонконг) представила ткань, которая пронизана электропроводкой и при этом не боится растяжений и стирки.

Текстиль, содержащий микросхемы, провода и другие компоненты, разработанный командой Xiao-Ming Tao, стается гибкими и надежным при многократном сгибании ткани. Материал состоит из нескольких эластичных нитей и медных волокон, покрытых полиуретановым составом.

В тестовых испытаниях, исследователи продемонстрировали, как материал может растягиваться на 20 процентов примерно миллион раз, прежде чем он порвется. Разработчики говорят, что благодаря полиуретановой изоляции, окружающей медь, можно создать несколько слоев ткани.

Кроме того, материал может быть применен в солдатских бронежилетах. Ткань ощущает воздействие пули и отсылает радиосигнал на базу. Другим важным преимуществом китайской разработки является стойкость к стирке. Исследователи после нескольких циклов в стиральной машине Whirlpool не обнаружили никаких проблем с деформацией или электрическим сопротивлением, пока материал не перенес 30 промывочных процедур при температуре 40 ° С и сушке при 75 ° C.

Эксперт по носимым технологиям Lucy Dunne: «Стойкость к мытью – это большой плюс для электронных текстильных схем, так как это долговечность встроенных проводников».

• Умные часы завышают расход калорий: учёные проверили четыре популярные модели
• Учёные обнаружили, что сверхтонкие алмазные мембраны способны вырабатывать электричество
• Учёные разработали жевательную резинку, которая может снижать уровень HPV и опасных бактерий во рту
• Ученые расплавили алмаз при давлении выше, чем в недрах Нептуна
• Учёные превратили спутники Starlink в гигантский сканер верхних слоёв атмосферы
• Новый катализатор позволит сократить расход платины в водородных топливных элементах на 75%
• Управляемые микротрещины помогли создать сверхмалые пиксели из квантовых точек
• Сверхбыстрые рентгеновские импульсы позволили увидеть химические реакции на уровне отдельных атомов